Команда британских физиков предложила метод, с помощью которого можно передвигать молекулы на поверхности кремния, не «касаясь» их, на расстояния около десяти нанометров. Ученые использовали этот подход, чтобы изучить, как «горячие» электроны распространяются в полупроводниковых материалах. Исследование опубликовано в .Авторы использовали сканирующий туннельный микроскоп для инжекции высокоэнергетичных электронов в молекулы ароматических соединений, адсорбированных на поверхности кремния. При этом измерялось, сколько молекул передвигалось в результате такого воздействия.Из полученных данных ученые рассчитывали зависимость «манипулярующего» воздействия от температуры и напряжения на зонде (фактически, энергии туннелирующих электронов). Также измерялось характерное расстояние, на которое смещались молекулы в процессе.Авторы связали воздействие на молекулы с динамикой распространения «горячих» электронов в кремниевой подложке. Оказалось, что экспериментальные данные описываются хорошо известной диффузионной моделью. При этом характерное расстояние «манипуляции» повышалось с температурой и составляло порядка 10 нанометров при 300 кельвинах.«Горячими» называются электроны, кинетическая энергия которых существенно превышает тепловую (обычно речь идет о сотнях kT). Такие электроны оказывают значительный эффект на полупроводниковые устройства, например, они могут приводить к появлению токов утечки. Кроме того, горячие электроны могут стать одним из препятствий в гонке миниатюризации электронных устройства.
COM_SPPAGEBUILDER_NO_ITEMS_FOUND